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Kingston KF552C40-16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Kingston KF552C40-16 16GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

総合得点
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Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

総合得点
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KF552C40-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston KF552C40-16 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 74
    周辺 59% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 13.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 7.7
    テスト平均値
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB 考慮すべき理由
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KF552C40-16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 74
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.2 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3343 left arrow 1616

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Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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