RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KF552C40-16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Compara
Kingston KF552C40-16 16GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Puntuación global
Kingston KF552C40-16 16GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KF552C40-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
74
En 59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KF552C40-16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
74
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3343
1616
Kingston KF552C40-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link