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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

総合得点
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

総合得点
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB 考慮すべき理由
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB 考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2595 left arrow 2808

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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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