RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation 16GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs InnoDisk Corporation 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

総合得点
star star star star star
InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 7.7
    テスト平均値
InnoDisk Corporation 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 49
    周辺 -29% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 7.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 2163

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAMの比較

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

InnoDisk Corporation 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
メモリRAM