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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs InnoDisk Corporation 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
InnoDisk Corporation 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.1
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
10.1
7.7
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2163
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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InnoDisk Corporation 16GB
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Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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