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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

総合得点
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 40
    周辺 30% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 6.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    18.2 left arrow 9.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    14.9 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 left arrow PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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