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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB

総合得点
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

総合得点
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Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB 考慮すべき理由
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 26
    周辺 -18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.7 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 18.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 14.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2432 left arrow 3291

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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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AMD R538G1601S2LS 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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