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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
総合得点
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
59
60
周辺 2% 低遅延
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
7.8
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2.8
1,855.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
60
読み出し速度、GB/s
4,168.0
7.8
書き込み速度、GB/秒
1,855.7
2.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
680
1505
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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