RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
60
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
7.8
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2.8
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
60
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
7.8
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
1505
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link