RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
比較する
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
総合得点
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
総合得点
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.8
15.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
11.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2% 高帯域
考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
33
周辺 -3% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
32
読み出し速度、GB/s
17.8
15.5
書き込み速度、GB/秒
12.5
11.8
メモリ帯域幅、mbps
25600
21300
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3285
2968
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link