RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB

総合得点
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB 考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2% 高帯域
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB 考慮すべき理由
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 33
    周辺 -18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.9 left arrow 17.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 12.5
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    17.8 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 15.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3285 left arrow 3733

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
メモリRAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
メモリRAM