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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
比較する
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,123.3
14.5
テスト平均値
考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
59
周辺 -119% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
27
読み出し速度、GB/s
4,833.8
17.4
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
14.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3692
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Frequency (Mhz) *
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