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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
総合得点
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
60
周辺 45% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.8
7.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
2.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
60
読み出し速度、GB/s
17.8
7.8
書き込み速度、GB/秒
12.5
2.8
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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