RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
60
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
2.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
60
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
7.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1505
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link