RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2300
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link