RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2922
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link