RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
71
Por volta de -209% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2922
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link