RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
71
Por volta de -209% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2922
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link