RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3437
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link