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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.3
17.4
写入速度,GB/s
8.0
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3437
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
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