RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3437
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link