Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 41
    周辺 29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.5 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.7 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    10.5 left arrow 8.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    1425 left arrow 2126
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較