RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.5
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
41
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
8.9
Скорость записи, Гб/сек
7.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2126
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link