Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Kingston 9905624-014.A00G 4GB

総合得点

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

総合得点

Kingston 9905624-014.A00G 4GB

Kingston 9905624-014.A00G 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

考慮すべき理由
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

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Kingston 9905624-014.A00G 4GB

考慮すべき理由
Kingston 9905624-014.A00G 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

23 29

周辺 -26% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.2 10.5

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.3 7.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 8500

周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Kingston 9905624-014.A00G 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 23
読み出し速度、GB/s

10.5 16.2
書き込み速度、GB/秒

7.1 13.3
メモリ帯域幅、mbps

8500 19200

Other

商品説明

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1425 2598

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

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G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

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Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

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Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB

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