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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
比較する
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
総合得点
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
総合得点
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
35
周辺 17% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
10.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
7.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
35
読み出し速度、GB/s
10.5
14.9
書き込み速度、GB/秒
7.1
10.1
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1425
2613
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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