RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
14.9
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2613
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link