RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
11.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2292
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link