RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2822
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link