RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2822
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link