Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

総合得点

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

総合得点

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

13.6 11.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

8.3 5.5

テスト平均値

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

考慮すべき理由
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

26 40

周辺 -54% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

40 26
読み出し速度、GB/s

13.6 11.7
書き込み速度、GB/秒

8.3 5.5
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2035 1771

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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