RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 34
    周辺 18% 低遅延
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 12.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    12.9 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2112 left arrow 2780

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
INTENSO 5641152 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
メモリRAM
Kingston DDR3 1333G 2GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Lenovo 16GB
Lenovo 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
メモリRAM