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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
総合得点
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
総合得点
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
37
周辺 24% 低遅延
考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16
12.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
37
読み出し速度、GB/s
12.9
16.0
書き込み速度、GB/秒
9.0
12.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2112
2808
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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