RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2808
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link