RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2808
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link