RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link