RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link