RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link