RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link