RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
76
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
76
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1587
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link