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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
73
76
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
76
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
7.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
1587
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
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