Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

総合得点

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

総合得点

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

12.9 12.4

テスト平均値

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

考慮すべき理由
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 28

周辺 -12% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

10.6 9.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

28 25
読み出し速度、GB/s

12.9 12.4
書き込み速度、GB/秒

9.0 10.6
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2112 1511

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

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Kingston 9965669-018.A00G 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

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G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

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