RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1511
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link