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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
総合得点
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
総合得点
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
30
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.3
12.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
12800
周辺 1.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
30
読み出し速度、GB/s
12.9
16.3
書き込み速度、GB/秒
9.0
12.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
23400
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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