Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

総合得点

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

総合得点

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

考慮すべき理由
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 14.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,107.0 10.2

テスト平均値

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 58

周辺 -115% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 6400

周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

58 27
読み出し速度、GB/s

4,025.3 14.8
書き込み速度、GB/秒

2,107.0 10.2
メモリ帯域幅、mbps

6400 19200

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

670 2173

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston 9905678-006.A00G 4GB

Kingston 9905678-006.A00G 4GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB