RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
58
Около -115% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2173
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link