Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,107.0 10.2

Среднее значение в тестах

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 58

Около -115% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 27
Скорость чтения, Гб/сек

4,025.3 14.8
Скорость записи, Гб/сек

2,107.0 10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

670 2173

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB

Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB

Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N

модули RAM