RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
58
Около -115% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2173
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link