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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

総合得点
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.3 left arrow 9.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 38
    周辺 -3% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.3 left arrow 9.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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