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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
9.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
38
Por volta de -3% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
37
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
9.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2148
2389
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F21UB8GS 8GB
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