RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2% 高帯域
考慮すべき理由
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
51
周辺 -76% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
29
読み出し速度、GB/s
15.6
16.4
書き込み速度、GB/秒
11.8
12.8
メモリ帯域幅、mbps
25600
21300
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
3065
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
バグを報告する
×
Bug description
Source link