RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
51
周辺 -76% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.8
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
29
読み出し速度、GB/s
15.6
17.8
書き込み速度、GB/秒
11.8
13.2
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
3208
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link