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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
51
85
周辺 40% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
11.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
6.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2% 高帯域
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
バグを報告する
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
85
読み出し速度、GB/s
15.6
11.3
書き込み速度、GB/秒
11.8
6.0
メモリ帯域幅、mbps
25600
21300
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
1118
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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