RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
85
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
85
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1118
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link