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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
総合得点
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
37
読み出し速度、GB/s
13.9
15.4
書き込み速度、GB/秒
8.6
12.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2395
3075
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
最新の比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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