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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
総合得点
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
38
周辺 3% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
14.1
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.2
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
38
読み出し速度、GB/s
13.9
14.1
書き込み速度、GB/秒
8.6
11.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2395
2569
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
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